重庆西南集成电路设计申请高集成度可重构片上电感及其重构方法、射频放大器专利，有效缩短射频电路研发周期

金融界 2025 年 4 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，重庆西南集成电路设计有限责任公司申请一项名为“一种高集成度可重构片上电感及其重构方法、射频放大器”的专利，公开号 CN119812168A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本申请提供一种高集成度可重构片上电感及其重构方法、射频放大器，该片上电感包括片上模块和片外键合模块，片上模块包括多个相互并列的片上连接单元，片外键合模块中包括键合线，基于所需片上电感的目标电感参数确定相应的键合线，并将键合线与对应的片上连接单元进行电连接，得到所需片上电感，在目标电感参数发生变化时，可通过调整键合线来实现片上电感的重构。本申请提供的可重构片上电感可根据实际需求选择对应的键合线对片上模块进行电感重构，以使得到的重构电感品质因数满足所需电感的要求；片上电感的整体的集成度高，电感值调试更加简单、灵活，有效缩短射频电路研发周期，提升射频电路性能，降低芯片应用成本。

天眼查资料显示，重庆西南集成电路设计有限责任公司，成立于2000年，位于重庆市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本4103.24万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆西南集成电路设计有限责任公司参与招投标项目92次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息138条，此外企业还拥有行政许可30个。

本文源自：金融界

作者：情报员