北京芯力申请键合半导体器件的方法等专利，提高半导体器件的键合强度和电性连通效果

金融界 2025 年 4 月 25 日消息，国家知识产权局信息显示，北京芯力技术创新中心有限公司申请一项名为“键合半导体器件的方法、叠层半导体器件和电子设备”的专利，公开号 CN119811987A，申请日期为 2025 年 3 月。

专利摘要显示，本申请属于半导体技术领域，具体公开了一种键合半导体器件的方法、叠层半导体器件和电子设备，该方法包括：提供第一半导体器件和第二半导体器件，所述第一半导体器件具有第一待键合表面，所述第二半导体器件具有第二待键合表面；使第一待键合表面和第二待键合表面中的至少之一与含有臭氧和不饱和烃气体的混合物接触，然后使所述第一待键合表面和所述第二待键合表面接触键合。由此，可以提高半导体器件的键合强度和电性连通效果。

天眼查资料显示，北京芯力技术创新中心有限公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本63100万人民币。通过天眼查大数据分析，北京芯力技术创新中心有限公司参与招投标项目436次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息39条，此外企业还拥有行政许可59个。

本文源自：金融界

作者：情报员