北京屹唐半导体申请反应腔室及半导体工艺设备专利，用于流动工艺气体至半导体工件靠近边缘的区域

金融界2025年4月24日消息，国家知识产权局信息显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司申请一项名为“反应腔室及半导体工艺设备”的专利，公开号CN119812050A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本公开提供一种反应腔室及半导体工艺设备，涉及半导体制造技术领域。反应腔室包括：腔室基体，具有沿纵向相对设置的进气侧和出气侧，进气侧和出气侧之间连接有中间侧；腔室基体具有第一子腔室和第二子腔室；位于腔室基体中的半导体工件的第一表面位于第一子腔室，半导体工件的第二表面位于第二子腔室，第二表面位于第一表面下方；进气装置，与腔室基体的进气侧连接，用于向第一子腔室和第二子腔室中的至少一个供入工艺气体；侧方补气装置，与腔室基体的进气侧连接；侧方补气装置具有侧方补气出口，侧方补气出口对应于中间侧沿纵向的中部设置，从侧方补气出口流出的工艺气体用于流动至半导体工件靠近边缘的区域。

天眼查资料显示，北京屹唐半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本266000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京屹唐半导体科技股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目174次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息220条，此外企业还拥有行政许可87个。

本文源自：金融界

作者：情报员