爱思开海力士申请半导体器件及其制造方法专利，提供新的半导体器件结构

金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119907236A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一位线，其在第一方向上延伸；第一晶体管，其配置为包括第一栅极和第一有源区，第一栅极在与第一方向垂直的第二方向上延伸；第二位线，其在第一方向上延伸；以及第二晶体管，其配置为包括连接到第二位线的第二有源区和与第二有源区重叠的第二栅极。第一有源区包括：水平部分，其配置为接触第一位线；以及垂直部分，其接触水平部分并且沿与第一方向和第二方向中的每一个方向垂直的第三方向延伸。第二栅极接触垂直部分。

本文源自：金融界

作者：情报员