成都沃特塞恩申请晶体生长厚度实时在线测量专利，可实现晶体生长厚度实时在线测量

金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，成都沃特塞恩电子技术有限公司申请一项名为“晶体生长厚度实时在线测量方法、装置、设备及介质”的专利，公开号CN119915190A，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本发明涉及一种晶体生长厚度实时在线测量方法、装置、设备及介质，包括获取晶体生长过程中每一生长周期内拍摄到的第一图像；在生长周期的第一张第一图像中以覆盖第一视角方向上所有晶体为目标构建第一标定框，将第一标定框内任一晶体的中心位置标定为第一晶体中心位置；根据第一晶体中心位置处像素的三原色信息确定各原色的原色取值区间；根据第一标定框和原色取值区间确定图像视觉属性的参数取值，得到目标参数取值，根据目标参数取值调整图像视觉属性得到第一目标图像；根据钼台预设厚度、第一目标图像中处于预设固定搜索区域的目标区域图像和处于第一标定框内的晶体中每一列的晶体上边缘到晶体下边缘之间的晶体像素个数得到第一在线测量厚度。

天眼查资料显示，成都沃特塞恩电子技术有限公司，成立于2015年，位于成都市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本359.0947万人民币。通过天眼查大数据分析，成都沃特塞恩电子技术有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目61次，财产线索方面有商标信息13条，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员