上海海姆希科半导体取得具有新型键合线错位布局的覆铜陶瓷基板专利，避免金属键合线疲劳断裂脱落

金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海海姆希科半导体有限公司取得一项名为“一种具有新型键合线错位布局的覆铜陶瓷基板”的专利，授权公告号CN222813594U，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本实用新型属于半导体键合线键合固定领域，提供一种具有新型键合线错位布局的覆铜陶瓷基板，主要包括基板本体，其上设有芯片，芯片设有第一源极金属区；至少一组键合线组，其包括多根沿第一方向间隔分布的金属键合线，金属键合线的第一端与芯片的第一源极金属区连接，并形成多个第一连接点，其中，相邻两个第一连接点之间的第一连线与第二方向设有预设夹角，第二方向与第一方向垂直。通过此种方式进行第一连接点的交错布局，在有限的第一源极金属区上使得相邻两个第一连接点之间的间距最大化，从而避免芯片源极金属区表面电流集中，减少芯片上层金属键合区的热应力，避免金属键合线出现疲劳断裂脱落的现象，进而提高功率器件的稳定性和可靠性。

天眼查资料显示，上海海姆希科半导体有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海海姆希科半导体有限公司参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可21个。

本文源自：金融界

作者：情报员