Intel 14A将于2027年量产，领先台积电一年

美国旧金山当地时间 4 月 29 日上午，2025 英特尔代工大会（Intel Foundry Direct Connect）正式在圣何塞开幕。在此次大会上，英特尔透露了其最新的 Intel 14A 制程的进展。

根据英特尔最新披露的数据显示，Intel 14A 相比 Intel 18A 将带来 15-20% 的每瓦特性能提升，密度提升 30%，功耗降低 25-35%。

同时，Intel 14A 制程及其演进版本 14A-E 都将会采用第二代的 RibbonFET 环绕栅极晶体管 ( GAA ) 技术，以及全新的 PowerDirect 直接触点供电技术（18A 是 PowerVia 背面供电技术），并采用 High NA EUV 技术进行生产。

英特尔解释称，之所以引入 High NA EUV 技术，是因为这样做可以提高效率，从而降低成本。如下图所示，High NA EUV 一次曝光所形成的图形中的晶体管间距与常规的三次 Low NA EUV 曝光所形成的图形的晶体管间距相当，而且后者总共需要约 40 个步骤来生产该图案，显然 High NA EUV 技术更具效率，并可降低成本。

目前英特尔代工已与主要客户就 Intel 14A 制程工艺展开合作，发送了 Intel 14A PDK（制程工艺设计工具包）的早期版本。这些客户已经表示有意基于该节点制造测试芯片。相对于 Intel 18A 所采用的 PowerVia 背面供电技术，Intel 14A 将采用 PowerDirect 直接触点供电技术。英特尔也计划与合作伙伴尽早提供配套的 IP 和 EDA 工具。

根据英特尔的规划，Intel 14A 将会在 2027 年量产，量产时间可能会领先于台积电 A14 制程（量产时间预计为 2028 年底）一年。

需要指出的是，由于英特尔已经在 Intel 18A 制程的研发过程当中进行了大量的 High NA 技术的经验积累，这也使得 Intel 14A 在使用，Intel 14A 使用 High NA EUV 生产良率和生产效率上有望居于优势地位。相比之下台积电的 A14 制程仍将会采用 Low NA EUV 技术，并且下一代的 A14 演进版本才会引入新的背面供电技术和 High NA EUV 技术进行制造。

编辑：芯智讯 - 浪客剑