云潼微电子申请高可靠性的SiC MOSFET器件及制造方法专利，提高器件在极端浪涌条件下的可靠性

金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，深圳云潼微电子科技有限公司;重庆云潼科技有限公司申请一项名为“一种高可靠性的SiC MOSFET器件及制造方法”的专利，公开号CN119866034A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高可靠性的SiC MOSFET器件及制造方法，该器件包括：碳化硅晶圆、两个栅极区、两个掺杂区和混合PIN肖特基二极管区MPS区；两个所述栅极区位于所述碳化硅晶圆之上；两个所述掺杂区位于所述碳化硅晶圆上，且分别对应位于两个所述栅极区的远离侧，所述远离侧为所述栅极区远离另一个所述栅极区的一侧；所述MPS区位于所述碳化硅晶圆上，且位于两个所述栅极区之间，用于在避免器件的双极退化效应的同时，提高器件的抗浪涌能力。该器件增强器件的极限过流能力，提高在极端浪涌条件下的可靠性，同时还保护器件的栅氧层，延长栅氧层的使用寿命，提高栅氧层的长期可靠性，降低器件损耗。

天眼查资料显示，深圳云潼微电子科技有限公司，成立于2022年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本750万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳云潼微电子科技有限公司专利信息9条，此外企业还拥有行政许可1个。

重庆云潼科技有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本938.2238万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆云潼科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息85条，专利信息146条，此外企业还拥有行政许可12个。

本文源自：金融界

作者：情报员