湖北三安光电申请发光二极管和发光装置专利，可达特定投影面积比例效果

金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，湖北三安光电有限公司申请一项名为“13337.一种发光二极管和发光装置”的专利，公开号CN119855332A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种发光二极管，包括：半导体叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；绝缘层，形成于所述半导体叠层上，所述绝缘层包括第一开口和第二开口；第一焊盘电极，形成于所述绝缘层上，通过所述第一开口与所述第一半导体层电连接；第二焊盘电极，形成于所述绝缘层上，通过所述第二开口与所述第二半导体层电连接；其中，在所述发光二极管的俯视图中，所述第一焊盘电极在所述半导体叠层上的投影与所述第二半导体层在所述半导体叠层上的投影重叠区域为S1，S1的面积占所述第一焊盘电极的面积比例小于40%。

天眼查资料显示，湖北三安光电有限公司，成立于2019年，位于鄂州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本330000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北三安光电有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目27次，专利信息88条，此外企业还拥有行政许可138个。

本文源自：金融界

作者：情报员