厦门市三安集成电路申请集成电路芯片及其制作方法和应用专利，提升了器件的噪声特性等性能

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司申请一项名为“一种集成电路芯片及其制作方法和应用”的专利，公开号CN 119789508 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种集成电路芯片，其包括半导体结构，半导体结构具有有源区和电容区，有源区设有源极、漏极和栅极，栅极位于源极和漏极之间；按序设于半导体结构上的第一介质层、第一金属层、间隔介质层、上介质层和第二金属层，间隔介质层和上介质层采用不同的介质材料，其中上介质层设于间隔介质层上并对有源区开口，开口边缘位于源极、漏极之外，电容区的电容介质层包括间隔介质层/上介质层的叠层。本发明还公开了其制作方法，利用间隔介质层和上介质层不同的蚀刻特性，在不影响无源区器件性能需求设置的前提下降低了有源区的介质层的厚度，减少了栅极和源漏电极之间的寄生电容，提升了器件的噪声特性等性能。

天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本150000万人民币，实缴资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目82次，专利信息336条，此外企业还拥有行政许可105个。

本文源自：金融界

作者：情报员