紫光同芯申请Flash存储芯片相关专利，提升了Flash存储芯片的稳定性

金融界2025年4月17日消息，国家知识产权局信息显示，紫光同芯微电子有限公司申请一项名为“Flash存储芯片的断电保护电路、Flash存储芯片和Flash存储器”的专利，公开号CN 119832946 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请涉及数据存储技术领域，公开一种Flash存储芯片的断电保护电路、Flash存储芯片和Flash存储器。断电保护电路包括储能电路、反相器和放电通路，其中：储能电路与电源、反相器连接，储能电路被配置为在电源断电的情况下，生成内部电源为反相器供电；反相器与放电通路连接反相器被配置为在利用储能电路提供的内部电源供电的情况下，向放电通路输出高电平信号；放电通路，放电通路被配置为接收到高电平信号的情况下，为Flash存储芯片放电。本公开利用储能电路和反相器，在电源出现异常断电情况下，通过储能电路生成内部电源，为反相器供电，反相器输出高电平信号导通放电通路，将内部高压进行泄放，提升了Flash存储芯片的稳定性，避免了误擦写问题。

天眼查资料显示，紫光同芯微电子有限公司，成立于2001年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100000万人民币。通过天眼查大数据分析，紫光同芯微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目34次，财产线索方面有商标信息42条，专利信息827条，此外企业还拥有行政许可6个。

本文源自：金融界

作者：情报员