凡己科技申请基于 N-MOS 的短路保护电路专利，提高了电路保护精度

金融界 2025 年 4 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，凡己科技（苏州）有限公司申请一项名为“一种基于 N - MOS 的短路保护电路”的专利，公开号 CN119891111A，申请日期为 2025 年 3 月。

专利摘要显示，本发明涉及保护电路技术领域，公开了一种基于 N - MOS 的短路保护电路，设置于负载与电源之间，包括：N - MOS 管、第一电压采样电路、电感、第二电压采样电路与控制单元；控制单元基于 MOS 管电压与电感电压判断是否发生短路，包括：若在预设时间段内，MOS 管电压的变化值大于预设电压值，则判断预设时间段内电感电压是否趋向于 0：若趋于 0，则判定发生短路，并控制 N - MOS 管的栅极令 N - MOS 管关断。本发明基于 MOS 管电压与电感电压的双重信号判断，提高了电路保护精度。

天眼查资料显示，凡己科技（苏州）有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，凡己科技（苏州）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息91条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员