杭州富芯半导体申请半导体器件相关专利，提高半导体器件产品的良率

金融界 2025 年 5 月 1 日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法及半导体器件”的专利，公开号 CN119890046A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法包括：提供晶圆，晶圆上形成有含铝的金属层和钝化层，钝化层为依次堆叠在金属层上的多层结构，钝化层包括氧化物介质层；采用与多层结构对应的多组刻蚀气体，刻蚀钝化层，形成暴露部分金属层的开口区域；执行清洗工序，以至少清洗开口区域的副产物；其中，多组刻蚀气体包括用于刻蚀所述氧化物介质层的第一刻蚀气体，第一刻蚀气体包括具有低碳氟比的第一含氟气体和用于去除刻蚀过程中产生的含碳聚合物的第一辅助气体。本申请解决了钝化层刻蚀过程中形成的聚合物缺陷，提高了半导体器件产品的良率。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员