国际商业机器公司申请具有电阻扩展层的电阻存储器专利，限制跨电阻随机存取存储器单元的电阻可变性

金融界2025年5月1日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有电阻扩展层的电阻存储器”的专利，公开号CN119896063A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，为了限制跨电阻随机存取存储器(RRAM)单元的电阻可变性，本公开包括RRAM单元，其中所述RRAM单元内的电阻扩展层在所述RRAM单元的顶部电极与底部电极之间。电阻扩展层与RRAM单元的细丝形成层串联，且与RRAM单元的细丝形成层没有阻抗。电阻扩展层可以位于细丝形成层之下，或者电阻扩展层可以位于细丝形成层之上。电阻扩展层可以进一步与底部电极或顶部电极串联并且不具有阻抗。

本文源自：金融界

作者：情报员