上海韦尔半导体申请共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件专利，解决现有工艺存在问题

金融界2025年4月18日消息，国家知识产权局信息显示，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件”的专利，公开号CN119815857A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请提供共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件，通过在晶圆正面和背面形成完成对称的结构，解决了现有工艺存在的问题，生产出性能卓越、面积更小、可封装性更强的共漏极双MOSFET晶圆。

天眼查资料显示，上海韦尔半导体股份有限公司，成立于2007年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本121442.6982万人民币。通过天眼查大数据分析，上海韦尔半导体股份有限公司共对外投资了44家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息23条，专利信息187条，此外企业还拥有行政许可13个。

本文源自：金融界

作者：情报员