江丰电子申请一种氮化硅靶材及其制备方法专利，得到纯度高、致密度高的氮化硅靶材

金融界2025年4月16日消息，国家知识产权局信息显示，宁波江丰电子材料股份有限公司申请一项名为“一种氮化硅靶材及其制备方法”的专利，公开号 CN 119822850 A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明提供了一种氮化硅靶材及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：将氮化硅粉末进行冷等静压，然后进行分段温度的热压烧结，得到氮化硅靶材。本发明提供的制备方法将冷等静压和分段温度的热压烧结结合，通过合理调控热压烧结过程，实现氮化硅靶材的致密化，而无需添加烧结助剂，所得氮化硅靶材的纯度高、致密度高，加工性能优异，可满足靶材使用要求。

天眼查资料显示，宁波江丰电子材料股份有限公司，成立于2005年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本26541.6083万人民币。通过天眼查大数据分析，宁波江丰电子材料股份有限公司共对外投资了49家企业，参与招投标项目66次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息1739条，此外企业还拥有行政许可15个。

本文源自：金融界

作者：情报员