华润华晶申请沟槽型MOSFET结构及制作方法专利，能够将器件漏端从正面引出拓展应用范围

金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，无锡华润华晶微电子有限公司、华润微电子控股有限公司申请一项名为“一种沟槽型MOSFET结构及制作方法”的专利，公开号CN119894014A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种沟槽型MOSFET结构及制作方法，该制作方法包括：提供第一导电类型基底，于基底上形成第一导电类型外延层，于外延层远离基底的一侧形成第二导电类型阱区；于外延层中形成第一沟槽，其中，第一沟槽位于终端区，第一沟槽垂向贯穿外延层并延伸入基底中；于第一沟槽的侧壁和底部形成绝缘层，于绝缘层的底部形成第一通孔，第一通孔显露基底；于第一沟槽中填充导电层，导电层的底端延伸入第一通孔与基底电连接。本发明通过于终端区设置贯穿外延层的第一沟槽，能够将器件漏端从正面引出，拓展其应用范围；并且，第一沟槽的侧壁和底部设置厚绝缘层能够缓解终端区域电场集中效应，提高反向击穿工作稳定性且显著减小终端尺寸。

天眼查资料显示，无锡华润华晶微电子有限公司，成立于2000年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本33500万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润华晶微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目467次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息226条，此外企业还拥有行政许可22个。

华润微电子控股有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事商务服务业为主的企业。企业注册资本141126.4485万美元。通过天眼查大数据分析，华润微电子控股有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息111条，此外企业还拥有行政许可3个。

本文源自：金融界

作者：情报员