无锡光未申请超高纯度球形二氧化硅制备工艺专利，提高最终产物质量

金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，无锡光未半导体材料有限公司申请一项名为“一种超高纯度球形二氧化硅制备工艺”的专利，公开号 CN119841323A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本申请涉及一种超高纯度球形二氧化硅制备工艺，属于二氧化硅制备领域，包括以下步骤：S1：溶液配制：向反应釜中加入去离子水，并开启搅拌装置进行搅拌，搅拌过程中，向反应釜中缓慢滴加硅酸钠，滴加过程中保持搅拌速度均匀稳定，使硅酸钠与去离子水充分混合，制得硅酸钠溶液。本申请通过向反应溶液中添加聚丙烯酸钠能够在二氧化硅颗粒表面形成厚的保护层，提供空间位阻效应，防止颗粒聚集，保持颗粒的均匀分布；而且利用氨水能够调节溶液的 pH 值，它还能帮助二氧化硅颗粒表面带负电荷，从而提高颗粒的稳定性，同时避免颗粒之间的聚集；聚丙烯酸钠和氨水协同作用，确保了二氧化硅颗粒的均匀性和稳定性，进而提高了最终产物的质量。

天眼查资料显示，无锡光未半导体材料有限公司，成立于2024年，位于无锡市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1265.882万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡光未半导体材料有限公司参与招投标项目2次，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可4个。

本文源自：金融界

作者：情报员