上海积塔申请半导体器件及其制备方法专利，增大刻蚀接触孔的工艺窗口

金融界2025年4月18日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“2281.半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN119815873A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其制备方法。所述方法包括：提供半导体衬底，包括导电沟道区；在半导体衬底的表面形成栅极结构；在栅极结构背的表面形成掩膜，且掩膜与导电沟道区对应；掩膜上设有第一凹陷部；去除掩膜以及导电沟道区的两侧的栅极结构，导电沟道区对应的栅极结构形成有第二凹陷部；对栅极结构两侧的衬底进行掺杂，形成掺杂区；在栅极结构的表面以及掺杂区上形成金属硅化物层；在金属硅化物层表面形成介质层，介质层设有与掺杂区相对应的第一接触孔和与第二凹陷部相对应的第二接触孔；在第一接触孔内形成第一金属接触体，在第二接触孔内形成第二金属接触体。本发明可以增大刻蚀接触孔的工艺窗口，降低刻穿金属硅化物层的异常率。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1792次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1014条，此外企业还拥有行政许可191个。

本文源自：金融界

作者：情报员