广东气派科技取得一种 MOSFET 的 TOLT 封装结构专利，提高 MOSFET 的 TOLT 封装结构的散热效果

金融界 2025 年 5 月 3 日消息，国家知识产权局信息显示，广东气派科技有限公司取得一项名为“一种 MOSFET 的 TOLT 封装结构”的专利，授权公告号 CN 222801801 U，申请日期为 2024 年 4 月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种 MOSFET 的 TOLT 封装结构，其包括：MOSFET 芯片、包覆所述 MOSFET 芯片的塑封体和设置于所述塑封体顶部的散热板、设置于所述塑封体一侧且与所述散热板相连接的漏极引脚、设置于所述漏极引脚对侧的栅极引脚和源极引脚，所述漏极引脚的宽度与所述散热板的宽度相当，所述栅极引脚和所述源极引脚通过一个间隙分隔开，所述栅极引脚的宽度小于所述源极引脚，且所述栅极引脚、所述源极引脚与所述间隙的宽度之和与所述散热板的宽度相当。采用实用新型的技术方案，可以提高 MOSFET 的 TOLT 封装结构的散热效果。

天眼查资料显示，广东气派科技有限公司，成立于2013年，位于东莞市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本60000万人民币。通过天眼查大数据分析，广东气派科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目42次，专利信息242条，此外企业还拥有行政许可70个。

本文源自：金融界

作者：情报员