苏州华太申请 SiC 横向 JFET 器件专利，解决传统器件源极接地占地大的问题

金融界 2025 年 5 月 5 日消息，国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“一种 SiC 横向 JFET 器件”的专利，公开号 CN119907279A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本申请提供了一种 SiC 横向 JFET 器件，包括：第二掺杂类型的衬底，所述衬底接地；第一掺杂类型的 SIC 材料的外延层，形成在衬底之上；第一通孔，自所述外延层的上表面向下贯穿外延层且所述第一通孔的底端进入到所述衬底内；第二掺杂类型的 SIC 材料的连接区，填充在所述第一通孔内；第一掺杂类型的源极，形成在所述外延层内；源极接触金属化合物，形成在所述连接区之上，且与所述源极之间电连接；其中，所述源极接触金属化合物通过第二掺杂类型的连接区和接地的第二掺杂类型的衬底电连接。本申请解决了传统的 SiC 横向 JFET 器件的源极接地导致占用器件面积较大的技术问题。

天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息467条，此外企业还拥有行政许可11个。

本文源自金融界