三星将逐步淘汰HBM2E，将重点转向HBM3E和HBM4

近年来，人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和PC一直在推动高性能DRAM产品的研发，市场对HBM类DRAM的需求也在迅速增长。虽然三星是全球最大的存储器制造商，但在HBM产品的开发和销售上却落后于SK海力士。随着来自国内DRAM厂商的竞争压力越来越大，最近传出三星将停产多款DDR4/LPDDR4产品，下定决心将产能尽快转移到利润更高的DDR5和HBM产品上。

据TrendForce报道，三星的HBM2E已经进入最后采购阶段，预计很快就会停产，接下来会将重点转向HBM3E和HBM4。由于HBM市场的年复合增长率超过了45%，三星停产旧规格产品，有助于加快技术迭代，将资源集中在新一代产品上，更好地与SK海力士和美光竞争。

据了解，长鑫存储（CXMT）已经量产16nm DDR5 DRAM，性能甚至比SK海力士的12nm产品更好，而且计划2025年将产能提高到每月18万片晶圆，目标2026年切入LPDDR5和车用DRAM市场，为未来进军HBM铺路。长鑫存储开发自己的HBM技术似乎只是时间问题，也迫使三星加速新一代HBM技术的开发与产能扩张。

有消息称，美光已经开始减少DDR4的产量，通知客户不再供应服务器DDR4内存模块，这种转变反映了更广泛的行业趋势。最近美光宣布对业务部门进行重组，以利用人工智能（AI）推动从数据中心到边缘设备的变革性增长，其中HBM产品组合也是重点。